קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK10V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

מספר חלק

TK10V60W,LVQ

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

DTMOSIV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

4-VSFN Exposed Pad

חבילת מכשירי ספק

4-DFN-EP (8x8)

פיזור כוח (מקסימום)

88.3W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

Super Junction

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

9.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 500µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

20nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

700pF @ 300V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3805 PCS

פרטי התקשרות