קנה Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SSM6J213FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

מספר חלק

SSM6J213FE(TE85L,F

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVI

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-563, SOT-666

חבילת מכשירי ספק

ES6

פיזור כוח (מקסימום)

500mW (Ta)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

2.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

290pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±8V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1141 PCS

פרטי התקשרות