קנה Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3565(Q,M) MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

2SK3565(Q,M)

MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

מספר חלק

2SK3565(Q,M)

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

π-MOSIV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3 Full Pack

חבילת מכשירי ספק

TO-220SIS

פיזור כוח (מקסימום)

45W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

900V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

28nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1150pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1767 PCS

פרטי התקשרות