TC58BYG0S3HBAI6
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
מספר חלק
TC58BYG0S3HBAI6
יצרן/מותג
סִדרָה
Benand™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tray
טֶכנוֹלוֹגִיָה
FLASH - NAND (SLC)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 85°C (TA)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
67-VFBGA
חבילת מכשירי ספק
67-VFBGA (6.5x8)
אספקת מתח
1.7 V ~ 1.95 V
סוג זיכרון
Non-Volatile
גודל זיכרון
1Gb (128M x 8)
זמן גישה
25ns
תדר שעון
-
פורמט זיכרון
Flash
כתוב זמן מחזור - Word, Page
25ns
ממשק זיכרון
Parallel
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2808 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6 רכיבים אלקטרוניים
TC58BYG0S3HBAI6 מכירות
ספק TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6 מפיץ
TC58BYG0S3HBAI6 טבלת נתונים
TC58BYG0S3HBAI6 תמונות
מחיר TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6 הצעה
TC58BYG0S3HBAI6 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6 רכישה
שבב TC58BYG0S3HBAI6