קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW RPG MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TSM1NB60CW RPG

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

מספר חלק

TSM1NB60CW RPG

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-261-4, TO-261AA

חבילת מכשירי ספק

SOT-223

פיזור כוח (מקסימום)

39W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

6.1nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

138pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 790 PCS

פרטי התקשרות