קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TSM120N10PQ56 RLG

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

מספר חלק

TSM120N10PQ56 RLG

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

חבילת מכשירי ספק

8-PDFN (5x6)

פיזור כוח (מקסימום)

36W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

145nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3902pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1633 PCS

פרטי התקשרות