קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TSM110NB04LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

מספר חלק

TSM110NB04LCR RLG

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerLDFN

חבילת מכשירי ספק

8-PDFN (5x6)

פיזור כוח (מקסימום)

3.1W (Ta), 68W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

12A (Ta), 54A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

23nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1269pF @ 20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3182 PCS

פרטי התקשרות