קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NB60CI C0G MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TSM10NB60CI C0G

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

מספר חלק

TSM10NB60CI C0G

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

חבילת מכשירי ספק

ITO-220

פיזור כוח (מקסימום)

50W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

39nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1820pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 620 PCS

פרטי התקשרות