קנה Taiwan Semiconductor Corporation RS1GL R3G DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

RS1GL R3G

DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

מספר חלק

RS1GL R3G

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

DO-219AB

חבילת מכשירי ספק

Sub SMA

סוג דיודה

Standard

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io)

800mA

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

1.3V @ 800mA

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

5µA @ 400V

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

400V

מְהִירוּת

Fast Recovery = 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

150ns

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 150°C

קיבול @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3093 PCS

פרטי התקשרות