קנה Taiwan Semiconductor Corporation ES1JF R3G DIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

ES1JF R3G

DIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL

מספר חלק

ES1JF R3G

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

DO-221AC, SMA Flat Leads

חבילת מכשירי ספק

SMA-FL

סוג דיודה

Standard

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io)

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

1.7V @ 1A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

5µA @ 600V

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

600V

מְהִירוּת

Fast Recovery = 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

35ns

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 150°C

קיבול @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3055 PCS

פרטי התקשרות