STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
מספר חלק
STB11NM80T4
יצרן/מותג
סִדרָה
MDmesh™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-65°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
חבילת מכשירי ספק
D2PAK
פיזור כוח (מקסימום)
150W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
800V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
43.6nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1630pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3342 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של STB11NM80T4
STB11NM80T4 רכיבים אלקטרוניים
STB11NM80T4 מכירות
ספק STB11NM80T4
STB11NM80T4 מפיץ
STB11NM80T4 טבלת נתונים
STB11NM80T4 תמונות
מחיר STB11NM80T4
STB11NM80T4 הצעה
STB11NM80T4 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש STB11NM80T4
STB11NM80T4 רכישה
שבב STB11NM80T4