התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
1N5807US

1N5807US

DIODE GEN PURP 50V 6A
מספר חלק
1N5807US
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Bulk
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SQ-MELF
חבילת מכשירי ספק
-
סוג דיודה
Standard
נוכחי - ממוצע מתוקן (Io)
6A
מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם
875mV @ 4A
זרם - דליפה הפוכה @ Vr
5µA @ 50V
מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)
50V
מְהִירוּת
Fast Recovery = 200mA (Io)
זמן התאוששות הפוך (trr)
30ns
טמפרטורת הפעלה - צומת
-
קיבול @ Vr, F
60pF @ 5V, 1MHz
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2737 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של 1N5807US
1N5807US רכיבים אלקטרוניים
1N5807US מכירות
ספק 1N5807US
1N5807US מפיץ
1N5807US טבלת נתונים
1N5807US תמונות
מחיר 1N5807US
1N5807US הצעה
1N5807US המחיר הנמוך ביותר
חיפוש 1N5807US
1N5807US רכישה
שבב 1N5807US