קנה Rohm Semiconductor RFN1LAM6STR DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

RFN1LAM6STR

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

מספר חלק

RFN1LAM6STR

יצרן/מותג

Rohm Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOD-128

חבילת מכשירי ספק

PMDTM

סוג דיודה

Standard

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io)

800mA

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

1.45V @ 800mA

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

1µA @ 600V

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

600V

מְהִירוּת

Fast Recovery = 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

35ns

טמפרטורת הפעלה - צומת

150°C (Max)

קיבול @ Vr, F

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2526 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

RFN10B3STL

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD