קנה Renesas Electronics America NP80N055NDG-S18-AY MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

NP80N055NDG-S18-AY

MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

מספר חלק

NP80N055NDG-S18-AY

יצרן/מותג

Renesas Electronics America

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

TO-262

פיזור כוח (מקסימום)

1.8W (Ta), 115W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

55V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.9 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

135nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

6900pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1997 PCS

פרטי התקשרות