NVD5890NT4G
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
מספר חלק
NVD5890NT4G
יצרן/מותג
סטטוס חלק
Active
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
חבילת מכשירי ספק
DPAK
פיזור כוח (מקסימום)
4W (Ta), 107W (Tc)
סוג FET
N-Channel
מתח ניקוז למקור (Vdss)
40V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
100nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
4760pF @ 25V
Vgs (מקסימום)
±20V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2090 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של NVD5890NT4G
NVD5890NT4G רכיבים אלקטרוניים
NVD5890NT4G מכירות
ספק NVD5890NT4G
NVD5890NT4G מפיץ
NVD5890NT4G טבלת נתונים
NVD5890NT4G תמונות
מחיר NVD5890NT4G
NVD5890NT4G הצעה
NVD5890NT4G המחיר הנמוך ביותר
חיפוש NVD5890NT4G
NVD5890NT4G רכישה
שבב NVD5890NT4G