NVD5863NLT4G
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
מספר חלק
NVD5863NLT4G
יצרן/מותג
סטטוס חלק
Active
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
חבילת מכשירי ספק
DPAK
פיזור כוח (מקסימום)
3.1W (Ta), 96W (Tc)
סוג FET
N-Channel
מתח ניקוז למקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
14.9A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.1 mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
70nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
3850pF @ 25V
Vgs (מקסימום)
±20V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2890 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G רכיבים אלקטרוניים
NVD5863NLT4G מכירות
ספק NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G מפיץ
NVD5863NLT4G טבלת נתונים
NVD5863NLT4G תמונות
מחיר NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G הצעה
NVD5863NLT4G המחיר הנמוך ביותר
חיפוש NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G רכישה
שבב NVD5863NLT4G