HUF76609D3ST
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
מספר חלק
HUF76609D3ST
יצרן/מותג
סִדרָה
UltraFET™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
חבילת מכשירי ספק
TO-252AA
פיזור כוח (מקסימום)
49W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
16nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
425pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±16V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2740 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של HUF76609D3ST
HUF76609D3ST רכיבים אלקטרוניים
HUF76609D3ST מכירות
ספק HUF76609D3ST
HUF76609D3ST מפיץ
HUF76609D3ST טבלת נתונים
HUF76609D3ST תמונות
מחיר HUF76609D3ST
HUF76609D3ST הצעה
HUF76609D3ST המחיר הנמוך ביותר
חיפוש HUF76609D3ST
HUF76609D3ST רכישה
שבב HUF76609D3ST