התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
H11F3M

H11F3M

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
מספר חלק
H11F3M
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
סוג קלט
DC
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 100°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
6-DIP (0.300", 7.62mm)
סוג פלט
MOSFET
מספר ערוצים
1
חבילת מכשירי ספק
6-DIP
זרם - פלט / ערוץ
-
מתח - בידוד
7500Vpk
זמן עלייה/נפילה (סוג)
-
מתח - פלט (מקסימום)
15V
מתח - קדימה (Vf) (Typ)
1.3V
נוכחי - DC Forward (אם) (מקסימום)
60mA
יחס העברה נוכחי (מינימום)
-
יחס העברה נוכחי (מקסימום)
-
זמן הפעלה/כיבוי (טיפוס)
45µs, 45µs (Max)
Vce Saturation (מקסימום)
-
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2977 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של H11F3M
H11F3M רכיבים אלקטרוניים
H11F3M מכירות
ספק H11F3M
H11F3M מפיץ
H11F3M טבלת נתונים
H11F3M תמונות
מחיר H11F3M
H11F3M הצעה
H11F3M המחיר הנמוך ביותר
חיפוש H11F3M
H11F3M רכישה
שבב H11F3M