קנה NXP USA Inc. PHD16N03LT,118 MOSFET N-CH 30V 16A DPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

PHD16N03LT,118

MOSFET N-CH 30V 16A DPAK

מספר חלק

PHD16N03LT,118

יצרן/מותג

NXP USA Inc.

סִדרָה

TrenchMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

DPAK

פיזור כוח (מקסימום)

32.6W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

8.5nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

210pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1807 PCS

פרטי התקשרות