קנה NXP USA Inc. BUK9E1R6-30E,127 MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

BUK9E1R6-30E,127

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

מספר חלק

BUK9E1R6-30E,127

יצרן/מותג

NXP USA Inc.

סִדרָה

TrenchMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

I2PAK

פיזור כוח (מקסימום)

349W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

113nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

16150pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2850 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

BUK9107-40ATC,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK