IXFH12N100F
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
מספר חלק
IXFH12N100F
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerRF™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-3P-3 Full Pack
חבילת מכשירי ספק
TO-247AD (IXFH)
פיזור כוח (מקסימום)
300W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
1000V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
77nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
2700pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3557 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFH12N100F
IXFH12N100F רכיבים אלקטרוניים
IXFH12N100F מכירות
ספק IXFH12N100F
IXFH12N100F מפיץ
IXFH12N100F טבלת נתונים
IXFH12N100F תמונות
מחיר IXFH12N100F
IXFH12N100F הצעה
IXFH12N100F המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFH12N100F
IXFH12N100F רכישה
שבב IXFH12N100F