IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
מספר חלק
IXTY18P10T
יצרן/מותג
סִדרָה
TrenchP™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
חבילת מכשירי ספק
TO-252
פיזור כוח (מקסימום)
83W (Tc)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
39nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
2100pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±15V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1843 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXTY18P10T
IXTY18P10T רכיבים אלקטרוניים
IXTY18P10T מכירות
ספק IXTY18P10T
IXTY18P10T מפיץ
IXTY18P10T טבלת נתונים
IXTY18P10T תמונות
מחיר IXTY18P10T
IXTY18P10T הצעה
IXTY18P10T המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXTY18P10T
IXTY18P10T רכישה
שבב IXTY18P10T