IXTP6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
מספר חלק
IXTP6N100D2
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-220-3
חבילת מכשירי ספק
TO-220AB
פיזור כוח (מקסימום)
300W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
Depletion Mode
מתח ניקוז למקור (Vdss)
1000V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
95nC @ 5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
2650pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
-
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1002 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXTP6N100D2
IXTP6N100D2 רכיבים אלקטרוניים
IXTP6N100D2 מכירות
ספק IXTP6N100D2
IXTP6N100D2 מפיץ
IXTP6N100D2 טבלת נתונים
IXTP6N100D2 תמונות
מחיר IXTP6N100D2
IXTP6N100D2 הצעה
IXTP6N100D2 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXTP6N100D2
IXTP6N100D2 רכישה
שבב IXTP6N100D2