IXTH3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
מספר חלק
IXTH3N120
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-247-3
חבילת מכשירי ספק
TO-247 (IXTH)
פיזור כוח (מקסימום)
200W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
1200V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
39nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1300pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2191 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXTH3N120
IXTH3N120 רכיבים אלקטרוניים
IXTH3N120 מכירות
ספק IXTH3N120
IXTH3N120 מפיץ
IXTH3N120 טבלת נתונים
IXTH3N120 תמונות
מחיר IXTH3N120
IXTH3N120 הצעה
IXTH3N120 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXTH3N120
IXTH3N120 רכישה
שבב IXTH3N120