IXTH10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
מספר חלק
IXTH10N100D2
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-247-3
חבילת מכשירי ספק
TO-247
פיזור כוח (מקסימום)
695W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
Depletion Mode
מתח ניקוז למקור (Vdss)
1000V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
200nC @ 5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
5320pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1324 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXTH10N100D2
IXTH10N100D2 רכיבים אלקטרוניים
IXTH10N100D2 מכירות
ספק IXTH10N100D2
IXTH10N100D2 מפיץ
IXTH10N100D2 טבלת נתונים
IXTH10N100D2 תמונות
מחיר IXTH10N100D2
IXTH10N100D2 הצעה
IXTH10N100D2 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXTH10N100D2
IXTH10N100D2 רכישה
שבב IXTH10N100D2