IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
מספר חלק
IXTH10N100D
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-247-3
חבילת מכשירי ספק
TO-247 (IXTH)
פיזור כוח (מקסימום)
400W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
Depletion Mode
מתח ניקוז למקור (Vdss)
1000V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
130nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
2500pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2542 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXTH10N100D
IXTH10N100D רכיבים אלקטרוניים
IXTH10N100D מכירות
ספק IXTH10N100D
IXTH10N100D מפיץ
IXTH10N100D טבלת נתונים
IXTH10N100D תמונות
מחיר IXTH10N100D
IXTH10N100D הצעה
IXTH10N100D המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXTH10N100D
IXTH10N100D רכישה
שבב IXTH10N100D