IXTA3N120TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
מספר חלק
IXTA3N120TRL
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
חבילת מכשירי ספק
TO-263 (IXTA)
פיזור כוח (מקסימום)
200W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
1200V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
42nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1350pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 665 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXTA3N120TRL
IXTA3N120TRL רכיבים אלקטרוניים
IXTA3N120TRL מכירות
ספק IXTA3N120TRL
IXTA3N120TRL מפיץ
IXTA3N120TRL טבלת נתונים
IXTA3N120TRL תמונות
מחיר IXTA3N120TRL
IXTA3N120TRL הצעה
IXTA3N120TRL המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXTA3N120TRL
IXTA3N120TRL רכישה
שבב IXTA3N120TRL