IXFX26N100P
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
מספר חלק
IXFX26N100P
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™, PolarP2™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-247-3
חבילת מכשירי ספק
PLUS247™-3
פיזור כוח (מקסימום)
780W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
1000V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
197nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
11900pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2917 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFX26N100P
IXFX26N100P רכיבים אלקטרוניים
IXFX26N100P מכירות
ספק IXFX26N100P
IXFX26N100P מפיץ
IXFX26N100P טבלת נתונים
IXFX26N100P תמונות
מחיר IXFX26N100P
IXFX26N100P הצעה
IXFX26N100P המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFX26N100P
IXFX26N100P רכישה
שבב IXFX26N100P