IXFX200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
מספר חלק
IXFX200N10P
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™, PolarP2™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-247-3
חבילת מכשירי ספק
PLUS247™-3
פיזור כוח (מקסימום)
830W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
235nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
7600pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 775 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFX200N10P
IXFX200N10P רכיבים אלקטרוניים
IXFX200N10P מכירות
ספק IXFX200N10P
IXFX200N10P מפיץ
IXFX200N10P טבלת נתונים
IXFX200N10P תמונות
מחיר IXFX200N10P
IXFX200N10P הצעה
IXFX200N10P המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFX200N10P
IXFX200N10P רכישה
שבב IXFX200N10P