IXFT26N50
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
מספר חלק
IXFT26N50
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
חבילת מכשירי ספק
TO-268
פיזור כוח (מקסימום)
300W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
500V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
160nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
4200pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1849 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFT26N50
IXFT26N50 רכיבים אלקטרוניים
IXFT26N50 מכירות
ספק IXFT26N50
IXFT26N50 מפיץ
IXFT26N50 טבלת נתונים
IXFT26N50 תמונות
מחיר IXFT26N50
IXFT26N50 הצעה
IXFT26N50 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFT26N50
IXFT26N50 רכישה
שבב IXFT26N50