IXFT12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
מספר חלק
IXFT12N90Q
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
חבילת מכשירי ספק
TO-268
פיזור כוח (מקסימום)
300W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
900V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
90nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
2900pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1292 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFT12N90Q
IXFT12N90Q רכיבים אלקטרוניים
IXFT12N90Q מכירות
ספק IXFT12N90Q
IXFT12N90Q מפיץ
IXFT12N90Q טבלת נתונים
IXFT12N90Q תמונות
מחיר IXFT12N90Q
IXFT12N90Q הצעה
IXFT12N90Q המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFT12N90Q
IXFT12N90Q רכישה
שבב IXFT12N90Q