IXFR58N20
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
מספר חלק
IXFR58N20
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
ISOPLUS247™
חבילת מכשירי ספק
ISOPLUS247™
פיזור כוח (מקסימום)
300W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
200V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
140nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
3600pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2518 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFR58N20
IXFR58N20 רכיבים אלקטרוניים
IXFR58N20 מכירות
ספק IXFR58N20
IXFR58N20 מפיץ
IXFR58N20 טבלת נתונים
IXFR58N20 תמונות
מחיר IXFR58N20
IXFR58N20 הצעה
IXFR58N20 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFR58N20
IXFR58N20 רכישה
שבב IXFR58N20