IXFR30N110P
MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
מספר חלק
IXFR30N110P
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™, PolarP2™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
ISOPLUS247™
חבילת מכשירי ספק
ISOPLUS247™
פיזור כוח (מקסימום)
320W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
1100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
235nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
13600pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 681 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFR30N110P
IXFR30N110P רכיבים אלקטרוניים
IXFR30N110P מכירות
ספק IXFR30N110P
IXFR30N110P מפיץ
IXFR30N110P טבלת נתונים
IXFR30N110P תמונות
מחיר IXFR30N110P
IXFR30N110P הצעה
IXFR30N110P המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFR30N110P
IXFR30N110P רכישה
שבב IXFR30N110P