IXFR200N10P
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
מספר חלק
IXFR200N10P
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™, PolarP2™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
ISOPLUS247™
חבילת מכשירי ספק
ISOPLUS247™
פיזור כוח (מקסימום)
300W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
235nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
7600pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2690 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFR200N10P
IXFR200N10P רכיבים אלקטרוניים
IXFR200N10P מכירות
ספק IXFR200N10P
IXFR200N10P מפיץ
IXFR200N10P טבלת נתונים
IXFR200N10P תמונות
מחיר IXFR200N10P
IXFR200N10P הצעה
IXFR200N10P המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFR200N10P
IXFR200N10P רכישה
שבב IXFR200N10P