IXFQ30N60X
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
מספר חלק
IXFQ30N60X
יצרן/מותג
סִדרָה
HiPerFET™
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tube
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
חבילת מכשירי ספק
TO-3P
פיזור כוח (מקסימום)
500W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
600V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
56nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
2270pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3087 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של IXFQ30N60X
IXFQ30N60X רכיבים אלקטרוניים
IXFQ30N60X מכירות
ספק IXFQ30N60X
IXFQ30N60X מפיץ
IXFQ30N60X טבלת נתונים
IXFQ30N60X תמונות
מחיר IXFQ30N60X
IXFQ30N60X הצעה
IXFQ30N60X המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IXFQ30N60X
IXFQ30N60X רכישה
שבב IXFQ30N60X