קנה Infineon Technologies SPI11N65C3HKSA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SPI11N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

מספר חלק

SPI11N65C3HKSA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

PG-TO262-3-1

פיזור כוח (מקסימום)

125W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 500µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

60nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1200pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1480 PCS

פרטי התקשרות