התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
IRLMS2002GTRPBF

IRLMS2002GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
מספר חלק
IRLMS2002GTRPBF
יצרן/מותג
סִדרָה
HEXFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-23-6
חבילת מכשירי ספק
Micro6™(SOT23-6)
פיזור כוח (מקסימום)
2W (Ta)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
22nC @ 5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1310pF @ 15V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
2.5V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±12V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1403 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF רכיבים אלקטרוניים
IRLMS2002GTRPBF מכירות
ספק IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF מפיץ
IRLMS2002GTRPBF טבלת נתונים
IRLMS2002GTRPBF תמונות
מחיר IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF הצעה
IRLMS2002GTRPBF המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF רכישה
שבב IRLMS2002GTRPBF