קנה Infineon Technologies IRF7910TRPBF MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IRF7910TRPBF

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

מספר חלק

IRF7910TRPBF

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

HEXFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

26nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1730pF @ 6V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 862 PCS

פרטי התקשרות