התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
IRF7701GTRPBF

IRF7701GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
מספר חלק
IRF7701GTRPBF
יצרן/מותג
סִדרָה
HEXFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
חבילת מכשירי ספק
8-TSSOP
פיזור כוח (מקסימום)
1.5W (Ta)
סוג FET
P-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
100nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
5050pF @ 10V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
1.8V, 4.5V
Vgs (מקסימום)
±8V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2696 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של IRF7701GTRPBF
IRF7701GTRPBF רכיבים אלקטרוניים
IRF7701GTRPBF מכירות
ספק IRF7701GTRPBF
IRF7701GTRPBF מפיץ
IRF7701GTRPBF טבלת נתונים
IRF7701GTRPBF תמונות
מחיר IRF7701GTRPBF
IRF7701GTRPBF הצעה
IRF7701GTRPBF המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IRF7701GTRPBF
IRF7701GTRPBF רכישה
שבב IRF7701GTRPBF