קנה Infineon Technologies IRF7351PBF MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IRF7351PBF

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

מספר חלק

IRF7351PBF

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

HEXFET®

סטטוס חלק

Not For New Designs

אריזה

Tube

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.8 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

36nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1330pF @ 30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3362 PCS

פרטי התקשרות