קנה Infineon Technologies IRF7341PBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IRF7341PBF

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

מספר חלק

IRF7341PBF

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

HEXFET®

סטטוס חלק

Not For New Designs

אריזה

Tube

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

55V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

36nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

740pF @ 25V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1309 PCS

פרטי התקשרות