קנה Infineon Technologies IRF6785MTR1PBF MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IRF6785MTR1PBF

MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

מספר חלק

IRF6785MTR1PBF

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

HEXFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric MZ

חבילת מכשירי ספק

DIRECTFET™ MZ

פיזור כוח (מקסימום)

2.8W (Ta), 57W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

200V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

3.4A (Ta), 19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

36nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1500pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 882 PCS

פרטי התקשרות