התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
IRF6785MTR1PBF

IRF6785MTR1PBF

MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
מספר חלק
IRF6785MTR1PBF
יצרן/מותג
סִדרָה
HEXFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MZ
חבילת מכשירי ספק
DIRECTFET™ MZ
פיזור כוח (מקסימום)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
200V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
36nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1500pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 882 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של IRF6785MTR1PBF
IRF6785MTR1PBF רכיבים אלקטרוניים
IRF6785MTR1PBF מכירות
ספק IRF6785MTR1PBF
IRF6785MTR1PBF מפיץ
IRF6785MTR1PBF טבלת נתונים
IRF6785MTR1PBF תמונות
מחיר IRF6785MTR1PBF
IRF6785MTR1PBF הצעה
IRF6785MTR1PBF המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IRF6785MTR1PBF
IRF6785MTR1PBF רכישה
שבב IRF6785MTR1PBF