התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
IRF6729MTR1PBF

IRF6729MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
מספר חלק
IRF6729MTR1PBF
יצרן/מותג
סִדרָה
HEXFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MX
חבילת מכשירי ספק
DIRECTFET™ MX
פיזור כוח (מקסימום)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
63nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
6030pF @ 15V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2179 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של IRF6729MTR1PBF
IRF6729MTR1PBF רכיבים אלקטרוניים
IRF6729MTR1PBF מכירות
ספק IRF6729MTR1PBF
IRF6729MTR1PBF מפיץ
IRF6729MTR1PBF טבלת נתונים
IRF6729MTR1PBF תמונות
מחיר IRF6729MTR1PBF
IRF6729MTR1PBF הצעה
IRF6729MTR1PBF המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IRF6729MTR1PBF
IRF6729MTR1PBF רכישה
שבב IRF6729MTR1PBF