התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
IRF6722STR1PBF

IRF6722STR1PBF

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
מספר חלק
IRF6722STR1PBF
יצרן/מותג
סִדרָה
HEXFET®
סטטוס חלק
Obsolete
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric ST
חבילת מכשירי ספק
DIRECTFET™ ST
פיזור כוח (מקסימום)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
17nC @ 4.5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1320pF @ 15V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
4.5V, 10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2076 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של IRF6722STR1PBF
IRF6722STR1PBF רכיבים אלקטרוניים
IRF6722STR1PBF מכירות
ספק IRF6722STR1PBF
IRF6722STR1PBF מפיץ
IRF6722STR1PBF טבלת נתונים
IRF6722STR1PBF תמונות
מחיר IRF6722STR1PBF
IRF6722STR1PBF הצעה
IRF6722STR1PBF המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IRF6722STR1PBF
IRF6722STR1PBF רכישה
שבב IRF6722STR1PBF