קנה Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

מספר חלק

IRF6710S2TR1PBF

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

HEXFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric S1

חבילת מכשירי ספק

DIRECTFET S1

פיזור כוח (מקסימום)

1.8W (Ta), 15W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

25V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

12A (Ta), 37A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

13nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1190pF @ 13V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3570 PCS

פרטי התקשרות