קנה Infineon Technologies IRF1018ESLPBF MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IRF1018ESLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

מספר חלק

IRF1018ESLPBF

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

HEXFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

TO-262

פיזור כוח (מקסימום)

110W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

79A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4 mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

69nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2290pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1154 PCS

פרטי התקשרות