קנה Infineon Technologies IPL60R105P7AUMA1 MOSFET N-CH 4VSON

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IPL60R105P7AUMA1

MOSFET N-CH 4VSON

מספר חלק

IPL60R105P7AUMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™ P7

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

4-PowerTSFN

חבילת מכשירי ספק

PG-VSON-4

פיזור כוח (מקסימום)

137W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

33A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 530µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

45nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1952pF @ 400V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3513 PCS

פרטי התקשרות