קנה Infineon Technologies IPI80P04P4L06AKSA1 MOSFET P-CH TO262-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPI80P04P4L06AKSA1

MOSFET P-CH TO262-3

מספר חלק

IPI80P04P4L06AKSA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

PG-TO262-3-1

פיזור כוח (מקסימום)

88W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 150µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

104nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

6580pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

+5V, -16V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 910 PCS

פרטי התקשרות