קנה Infineon Technologies IPD95R2K0P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 4A TO252

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IPD95R2K0P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 4A TO252

מספר חלק

IPD95R2K0P7ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™ P7

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

PG-TO252-3

פיזור כוח (מקסימום)

37W (Tc)

סוג FET

N-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

950V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

10nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

330pF @ 400V

Vgs (מקסימום)

±20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 413 PCS

פרטי התקשרות