קנה Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPD50R650CEBTMA1

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

מספר חלק

IPD50R650CEBTMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

PG-TO252-3

פיזור כוח (מקסימום)

47W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

500V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 150µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

15nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

342pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

13V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1038 PCS

פרטי התקשרות